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J-GLOBAL ID：201303089520220223

多孔質シリコン粒子及び多孔質シリコン複合体粒子並びにこれらの製造方法

Inventor： 吉田 浩一 ,  瀬川 春彦 ,  谷 俊夫 ,  西村 健 ,  加藤 秀実 ,  和田 武
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社 ,  株式会社 東北テクノアーチ
Agent (1)： 井上 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012064017
Publication number (International publication number)：2013193933
Application date： Mar. 21, 2012
Publication date： Sep. 30, 2013
Summary：

【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン電池用の負極材料などに好適な多孔質シリコン粒子及び多孔質シリコン複合体粒子を提供する。【解決手段】複数のシリコン微粒子3が接合して連続的な空隙を有する多孔質シリコン粒子1であって、前記シリコン微粒子の粒径または支柱径の平均xが2nm〜2μmであり、前記シリコン微粒子の粒径または支柱径の標準偏差σが1〜500nmであり、前記平均xと前記標準偏差σとの比(σ/x)が0.01〜0.5であることを特徴とする多孔質シリコン粒子である。また、複数のシリコン微粒子と、複数のシリコン化合物粒子が接合して、連続的な空隙を有する多孔質シリコン複合体粒子であって、同様の特徴を備えることを特徴とする多孔質シリコン複合体粒子である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

複数のシリコン微粒子が接合して連続的な空隙を有する多孔質シリコン粒子であって、 前記シリコン微粒子の粒径、支柱径または支柱辺の平均xが2nm〜2μmであり、 前記シリコン微粒子の粒径、支柱径または支柱辺の標準偏差σが1〜500nmであり、 前記平均xと前記標準偏差σとの比(σ/x)が0.01〜0.5である ことを特徴とする多孔質シリコン粒子。

IPC (4)：

C01B 33/02 ,  C01B 33/06 ,  H01M 4/38 ,  H01M 4/36

FI (5)：

C01B33/02 Z ,  C01B33/06 ,  H01M4/38 Z ,  H01M4/36 B ,  H01M4/36 E

F-Term (33)：

4G072AA01 ,  4G072BB03 ,  4G072BB04 ,  4G072BB05 ,  4G072BB06 ,  4G072BB07 ,  4G072BB15 ,  4G072DD02 ,  4G072DD03 ,  4G072DD04 ,  4G072DD05 ,  4G072GG01 ,  4G072GG02 ,  4G072GG05 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ09 ,  4G072JJ16 ,  4G072MM38 ,  4G072MM40 ,  4G072TT01 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  4G072UU30 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA15 ,  5H050BA16 ,  5H050CB11 ,  5H050HA02 ,  5H050HA04 ,  5H050HA05 ,  5H050HA07 ,  5H050HA09