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J-GLOBAL ID：201303090482599980

スパッタリングターゲット、トランジスタ、焼結体の製造方法、トランジスタの製造方法、電子部品または電気機器、液晶表示素子、有機ELディスプレイ用パネル、太陽電池、半導体素子および発光ダイオード素子

Inventor： 上野 崇
Applicant, Patent owner： エスピーエム エージー セミコンダクターパーツアンドマテリアル
Agent (2)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011207433
Publication number (International publication number)：2013067835
Application date： Sep. 22, 2011
Publication date： Apr. 18, 2013
Summary：

【課題】MoS2を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】本発明の一態様は、Hf,Re,Ta,W,Nb,Zr,V,Al,In,Sn,Ga,Zn,Si,Ge,Mn,Ni,Fe,Co,Cu,Ag,Y,Sc,Mg,Caからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で0.1〜10.0wt%含有し、残部がMoS2および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

Hf,Re,Ta,W,Nb,Zr,V,Al,In,Sn,Ga,Zn,Si,Ge,Mn,Ni,Fe,Co,Cu,Ag,Y,Sc,Mg,Caからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で0.1〜10.0wt%含有し、残部がMoS2および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/547 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (9)：

C23C14/34 A ,  C04B35/00 T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 627C

F-Term (42)：

4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA11 ,  4G030AA12 ,  4G030AA17 ,  4G030AA18 ,  4G030AA19 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030AA23 ,  4G030AA24 ,  4G030AA25 ,  4G030AA27 ,  4G030AA28 ,  4G030AA29 ,  4G030AA30 ,  4G030AA31 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA38 ,  4G030AA39 ,  4G030AA55 ,  4G030BA01 ,  4G030CA07 ,  4G030CA08 ,  4G030GA09 ,  4G030GA27 ,  4K029BD01 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG43