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J-GLOBAL ID：201303090902456225
ホスホン酸ジエステル誘導体およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007549163
Patent number：5082102
Application date： Nov. 30, 2006
Claim (excerpt)：
【請求項1】 一般式(1)
(式中、R1およびR2がそれぞれ独立して、一般式(2)または一般式(3)
(式中、R3が置換基を有していてもよいアリール基、および置換基を有していてもよい複素環残基のいずれかであり、R4、R5およびR6のそれぞれが、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、および電子吸引基からなる群より選択される少なくとも1つの置換基であり、R4、R5およびR6の置換基のうち隣接する2つの置換基が互いに結合して環を形成してもよい。)を表し、
前記電子吸引基が、ハロゲン原子、-COOR’、-CONR’2、-COR’、-OCOR’、-CF3、-CN、-SR’、-S(O)R’、-SO2R’、-SO2NR’2、-PO(OR’)2、および-NO2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、R’が水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表す。)で示される、ホスホン酸ジエステル誘導体。
IPC (3)：
C07F 9/40 ( 200 6.01)
, C07F 9/6561 ( 200 6.01)
, C07B 61/00 ( 200 6.01)
C07F 9/40 CSP D
, C07F 9/656
, C07B 61/00 300
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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