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J-GLOBAL ID：201303091600422280

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ

Inventor：
苅屋田 英嗣

About 苅屋田 英嗣

, 
末光 克巳

About 末光 克巳


Applicant, Patent owner：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

About ルネサスエレクトロニクス株式会社


Agent (1)： 工藤 実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012010359
Publication number (International publication number)：2013149857
Application date： Jan. 20, 2012
Publication date： Aug. 01, 2013
Summary：
【課題】垂直磁化膜を用いた磁気抵抗効果素子において、高温熱処理によるMR比の低下を抑制すること。【解決手段】磁気抵抗効果素子は、データ記憶層、データ参照層、及びデータ記憶層とデータ参照層との間に挟まれたMgO膜を備える。データ記憶層は、MgO膜と接触するCoFeB膜と、垂直磁化膜と、CoFeB膜と垂直磁化膜との間に挟まれたTa膜と、を備える。CoFeB膜と垂直磁化膜とは、Ta膜を介して磁気的に結合している。【選択図】図5
Claim (excerpt)：
磁化方向が反転可能な領域を有するデータ記憶層と、 磁化方向が固定されたデータ参照層と、 前記データ記憶層と前記データ参照層との間に挟まれたMgO膜と を備え、 前記データ記憶層は、 前記MgO膜と接触する第1CoFeB膜と、 第1垂直磁化膜と、 前記第1CoFeB膜と前記第1垂直磁化膜との間に挟まれた第1Ta膜と を備え、 前記第1CoFeB膜と前記第1垂直磁化膜とは、前記第1Ta膜を介して磁気的に結合している 磁気抵抗効果素子。
IPC (7)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30
FI (6)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01F10/32 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30
F-Term (38)：
4M119AA06 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD08 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD47 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119JJ09 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049DB12 ,  5F092AA08 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC19 ,  5F092BC22 ,  5F092CA25
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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