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J-GLOBAL ID：201303092068958040

放射線を用いた有機物からのグラフェンの製造方法及びこれにより製造されたグラフェン

Inventor： チョイ,ジャ ハク ,  ジュン, チャン ヒ ,  ワン, イン テ ,  カン, ドン ウ
Applicant, Patent owner： コリア アトミック エナジー リサーチ インスティチュート ,  コリア ハイドロ アンド ニュークリア パワー カンパニー リミティッド
Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012262768
Publication number (International publication number)：2013193953
Application date： Nov. 30, 2012
Publication date： Sep. 30, 2013
Summary：

【課題】本発明は、放射線を用いた有機物からのグラフェンの製造方法及びこれに製造されたグラフェンに関する。【解決手段】本発明は、高分子またはオリゴマーなどの有機物を溶媒に溶解して有機物溶液を製造した後、基板上部に塗布して有機物薄膜を形成し、放射線の照射により有機物薄膜に架橋構造を導入してから炭化工程によりグラフェンを製造する方法に関するものである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板に有機物薄膜を形成する段階と、 前記有機物薄膜の上部に放射線を照射して前記有機物薄膜を架橋する工程と、 前記架橋された有機物薄膜を炭化することでグラフェンを形成する工程と、 を含むことを特徴とする、グラフェンの製造方法。

IPC (2)：

C01B 31/02 ,  H01B 13/00

FI (3)：

C01B31/02 101Z ,  H01B13/00 503Z ,  H01B13/00 503D

F-Term (22)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AC20B ,  4G146AC27B ,  4G146AD22 ,  4G146AD23 ,  4G146AD28 ,  4G146BA13 ,  4G146BA16 ,  4G146BA22 ,  4G146BA32 ,  4G146BA42 ,  4G146BA45 ,  4G146BB01 ,  4G146BB16 ,  4G146BC03 ,  4G146BC23 ,  4G146BC34B ,  4G146BC37B ,  5G323AA03 ,  5G323CA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-160969   Applicant：浦項工科大学校産学協力団
• グラファイトリボンおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-070392   Applicant：大阪瓦斯株式会社
• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-048251   Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• Molecular Mechanisms of Electron-Induced Cross-Linking in Aromatic SAMs
• Atmospheric Pressure, Temperature-Induced Conversion of Organic Monolayers into Nanocrystalline Grap
• Graphene Growth from Spin-Coated Polymers without a Gas