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J-GLOBAL ID：201303092107720200

多層構造ウエハーおよびその製造方法

Inventor： 石田 誠 ,  澤田 和明 ,  赤井 大輔 ,  松本 良成
Applicant, Patent owner： 国立大学法人豊橋技術科学大学
Agent (2)： 特許業務法人中部国際特許事務所 ,  吉田 健二
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007066192
Publication number (International publication number)：2008227338
Patent number：5277366
Application date： Mar. 15, 2007
Publication date： Sep. 25, 2008
Claim (excerpt)：

【請求項1】 単結晶層であるシリコン層と、 前記シリコン層の上面に形成された非晶質である酸化シリコン層と、 前記シリコン層とは離間した状態でかつ、前記酸化シリコン層内に島状あるいは網状に存在し、前記酸化シリコン層から上面側に露出している単結晶の酸化アルミニウム層と、 前記酸化アルミニウム層の上面及び前記酸化シリコン層の上面のうちの少なくとも前記酸化アルミニウム層の上面に形成された単結晶層と、 を備える多層構造ウエハー。

IPC (3)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 27/12 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 電子デバイス用基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-167686   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 化合物半導体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-038821   Applicant：旭化成工業株式会社, 石田誠
• 特開平4-188821
  
• 薄膜形成方法、シリコン薄膜及びシリコン薄膜トランジスタの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-023986   Applicant：富士通株式会社
• 多結晶シリコン膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-059214   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体の積層構造の形成方法及びそれを用いた半導体装置の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-264610   Applicant：株式会社日立製作所
• 窒化物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-004689   Applicant：並木精密宝石株式会社
• 酸化物単結晶薄膜形成方法および半導体薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-213181   Applicant：旭化成株式会社, 石田誠
• 半導体基板とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-324275   Applicant：旭化成工業株式会社