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J-GLOBAL ID：201303092521058722
抵抗可変電子素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 小池 勇三
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008226923
Publication number (International publication number)：2010062358
Patent number：5155072
Application date： Sep. 04, 2008
Publication date： Mar. 18, 2010
Claim (excerpt)：
【請求項1】 段差部を備えた基板と、
前記段差部を含めた前記基板の上に形成されたグラフェン層と、
前記グラフェン層の前記段差部における領域に電子を注入する電子注入手段と、
前記段差部の凸部の側の平坦部および前記段差部の凹部の側の平坦部の少なくとも一方の前記グラフェン層における電流を検出する電流検出手段と、
前記グラフェン層の前記段差部に接続する第1電極と、
前記段差部の凸部の側の平坦部および前記段差部の凹部の側の平坦部の少なくとも一方の前記グラフェン層に、互いに離間して接続する第2電極および第3電極と
を少なくとも備え、
前記電子注入手段は、前記第1電極に電圧を印加することで、前記グラフェン層の前記段差部における領域に電子を注入し、
前記電流検出手段は、前記第2電極と前記第3電極との間の電流を検出する
ことを特徴とする抵抗可変電子素子。
IPC (3)：
H01L 49/00 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 29/66 ( 200 6.01)
H01L 49/00 Z
, H01L 29/06 601 N
, H01L 29/66 C
