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J-GLOBAL ID：201303093377423000

圧力センサ

Inventor： 下山 勲 ,  松本 潔 ,  高橋 英俊 ,  グェン ミン ジューン ,  篠原 陽子 ,  内山 武 ,  大海 学 ,  新荻 正隆
Applicant, Patent owner： セイコーインスツル株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
Agent (3)： 志賀 正武 ,  鈴木 慎吾 ,  西澤 和純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012105306
Publication number (International publication number)：2013234853
Application date： May. 02, 2012
Publication date： Nov. 21, 2013
Summary：

【課題】微小な圧力変動の検出を精度良く行うことができると共に、圧力変動の下限周波数を所望する値に設定でき、検出できる圧力変動の周波数帯域を任意に設定すること。【解決手段】所定の周波数帯域の圧力変動を検出するセンサであって、キャビティ10が形成されたセンサ本体3と、センサ本体に片持ち状に支持された状態で連通開口11の内側に配設され、キャビティの内部と外部との圧力差に応じて撓み変形するカンチレバー4と、カンチレバーの変位を測定する変位測定部と、を備え、カンチレバーの外周縁と連通開口の開口端との間にはギャップ13が形成され、周波数帯域における下限周波数fLOW(Hz)は下記式(1)によって設定されている圧力センサを提供する。 fLOW >k・(G2/V)・・・(1)〔kは比例定数、Gはギャップの幅(μm)、Vはキャビティの容積(ml)である。〕【選択図】図2

Claim (excerpt)：

所定の周波数帯域の圧力変動を検出する圧力センサであって、 キャビティと、該キャビティの内部と外部とを連通する連通開口と、が形成されたセンサ本体と、 半導体材料により基端部から先端部に向けて一方向に延びる板状に形成され、基端部が前記センサ本体に片持ち状に支持された状態で前記連通開口の内側に配設され、前記キャビティの内部と外部との圧力差に応じて撓み変形するカンチレバーと、 前記カンチレバーの変位を測定する変位測定部と、を備え、 前記カンチレバーの外周縁と前記連通開口の開口端との間には、該カンチレバーの外周縁に沿ってギャップが形成され、 前記周波数帯域における下限周波数fLOW(Hz)は、下記式(1)によって設定されていることを特徴とする圧力センサ。 fLOW >k・(G2/V)・・・(1) 〔式中、kは比例定数、Gは前記ギャップの幅(μm)、Vは前記キャビティの容積(ml)である。〕

IPC (2)：

G01L 9/00 ,  H01L 29/84

FI (2)：

G01L9/00 303A ,  H01L29/84 B

F-Term (23)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC12 ,  2F055DD05 ,  2F055EE13 ,  2F055FF16 ,  2F055GG11 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA22 ,  4M112CA23 ,  4M112CA29 ,  4M112CA32 ,  4M112CA33 ,  4M112CA34 ,  4M112DA10 ,  4M112DA12 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112FA01 ,  4M112GA03