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J-GLOBAL ID：201303095365495970

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 原 明人
Applicant, Patent owner： 富士通セミコンダクター株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2006015509
Publication number (International publication number)：2006270051
Patent number：5055771
Application date： Jan. 24, 2006
Publication date： Oct. 05, 2006
Claim (excerpt)：

【請求項1】 シリコン基板と、 前記シリコン基板上のゲート電極と、 前記シリコン基板に形成された第1の深さのソース・ドレインエクステンション領域と、 前記シリコン基板に形成された第2の深さのソース・ドレイン領域と、 前記ソース・ドレイン領域に形成されたSiGeまたはSiCを含む歪生成層と、 前記ソース・ドレイン領域の前記歪生成層と前記シリコン基板の界面に沿って位置する不純物領域であって、酸素と窒素の少なくとも一方を含有する非絶縁性の不純物領域と、 を含み、 前記不純物領域の不純物濃度は、1.0×1018cm-3 〜5.0×1019cm-3 であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-149588   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-132458   Applicant：株式会社日立製作所, トレセンティテクノロジーズ株式会社
• 半導体基板及びその製造方法ならびに半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-147902   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体基板、半導体装置及びそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-062439   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-137159   Applicant：東芝セラミックス株式会社

Cited by examiner (4)

• 半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-149588   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-132458   Applicant：株式会社日立製作所, トレセンティテクノロジーズ株式会社
• 半導体基板及びその製造方法ならびに半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-147902   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体基板、半導体装置及びそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-062439   Applicant：シャープ株式会社