p型半導体材料、および光電変換装置の作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012080227
Publication number (International publication number)：2013211397
Application date： Mar. 30, 2012
Publication date： Oct. 10, 2013
Summary：

【課題】p型の導電型を有する酸化物半導体材料、および光電変換装置の作製方法を提供する。【解決手段】三酸化モリブデン(MoO3)と、還元剤とを混合し、該混合物を減圧下において加熱することにより、三酸化モリブデンの一部を還元し、さらに三酸化モリブデンおよび還元された酸化モリブデンを気化させ、二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2 Claim (excerpt)：

三酸化モリブデン(MoO3)および還元剤の混合物を減圧下において加熱して前記三酸化モリブデンの一部を還元し、前記三酸化モリブデンおよび還元された酸化モリブデンを気化させて、二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2 IPC (2)：

H01L 21/365 , H01L 31/04

FI (2)：

H01L21/365 , H01L31/04 L

F-Term (13)：

5F045AA18 , 5F045AB40 , 5F045BB16 , 5F151AA02 , 5F151AA03 , 5F151CB20 , 5F151CB21 , 5F151CB22 , 5F151FA02 , 5F151FA06 , 5F151FA10 , 5F151GA04 , 5F151GA15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

基板上に形成された金属酸化物層とその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-310331 Applicant：河東田隆
MoO2粉末の製造法、MoO2粉末から製造された製品、MoO2薄膜の付着およびこのような材料の使用方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-521084 Applicant：ハーツェーシュタルクインコーポレイテッド
スパッタリング用高純度金属Mo焼結ターゲットの製造に原料粉末として用いるのに適した高純度金属Mo粗粒粉末
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-130803 Applicant：日本新金属株式会社

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