Ishii Ryota

イシイリョウタ | Ishii Ryota

Affiliation and department：
Homepage URL (1)： http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/index.html

Research field (3)： Electric/electronic material engineering , Magnetism, superconductivity, and strongly correlated systems , Crystal engineering

Research keywords (6)：時空間分解分光 , Ultra-widegap semiconductors , Near-field spectroscopy , deep-ultraviolet spectroscopy , optical properties of semiconductors , exciton

Research theme for competitive and other funds (20)：

2023 - 2026 超ワイドギャップ半導体の両極性電気伝導発現に向けた物性の解明と制御
2021 - 2025 Visible, long wavelength LEDs based on In-rich InGaN on ScAlMgO4 substrates
2020 - 2025 Light emitting synthesizer : aiming to create the ultimate lighting devices
2022 - 2023 超短波長発光する深紫外LEDの高効率化に向けた高Al組成AlGaN量子井戸構造の輻射・非輻射再結合機構の解明
2022 - 2023 深紫外・赤外融合分光法を用いた超ワイドギャップ半導体素励起の物性解明と制御

2021 - 2022 100nm以下の空間分解能を持つ深紫外近接場光学顕微鏡の開発

2019 - 2022 極限環境下深紫外時空間分解分光法を用いた超ワイドギャップ半導体励起子工学の創成

2020 - 2021 ScAlMgO4基板上へのInリッチInGaN系LEDの実現

2016 - 2021 近接場分光(SNOM)による特異構造の発光機構解明と制御

2015 - 2020 Achievement of Tailor-made Lighting Sources by the Control of Nanoscopic Carrier Localization in Nitride Semiconductors

2017 - 2020 深紫外時空間スペクトロスコピーの開拓による超ワイドギャップ半導体の光物性解明

2016 - 2019 Physical properties of isotope diamond looking for further light element materials

2017 - 2018 顕微光音響分光法を用いた深紫外発光ダイオードにおける非発光過程の可視化

2016 - 2017 摂動(応力・磁場)下分光法を用いた超ワイドギャップ半導体の励起子光物性の解明

2016 - 2017 次世代光・電子・スピンデバイスの創出に向けたダイヤモンドの励起子光物性の解明

2015 - 2017 摂動下分光法の複合測定による(Al,In,Ga)N系半導体の光物性解明

2015 - 2016 深紫外近接場分光による超ワイドギャップ半導体の物性解明

2014 - 2015 磁場下偏光反射・偏光フォトルミネッセンス測定によるAlNの励起子状態の解明

2011 - 2013 窒化物半導体歪エンジニアリングによる超低しきい値励起子分子レーザの実現に向けた研究

2011 - 2012 窒化物半導体の電子状態の解明と制御:歪工学による新機能光デバイス実現に向けて

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Papers (35)：

Ryota Ishii, Akira Yoshikawa, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami. Revisiting the substitutional Mg acceptor binding energy of AlN. Physical Review B. 2023. 108. 3
Shiki Tanaka, Ryota Ishii, Norman Susilo, Tim Wernicke, Michael Kneissl, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami. Picosecond-laser-excited photoluminescence study of AlGaN quantum wells on epitaxially laterally overgrown AlN/sapphire under selective and non-selective excitation conditions. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. 11. 112002-112002
Ryota Ishii, Toru Nagashima, Reo Yamamoto, Tatsuya Hitomi, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami. Stimulated emission mechanism of aluminum nitride. Physical Review B. 2022. 105. 205206
Tomoaki Nambu, Taketo Yano, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Yasunori Tanaka, Yutaka Maegaki, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura, Shuhei Kobayashi, et al. DUV coherent light emission from ultracompact microcavity wavelength conversion device. Optics Express. 2022. 30. 11. 18628-18628
A. Kafar, A. Sakaki, R. Ishii, K. Shojiki, S. Stanczyk, K. Gibasiewicz, G. Staszczak, L. Marona, D. Schiavon, S. Grzanka, et al. Structural and emission improvement of cyan-emitting InGaN quantum wells by introducing a large substrate misorientation angle. Optical Materials Express. 2022. 12. 1. 119-119

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MISC (3)：

石井良太, 鹿田真一, 寺地徳之, 神田久生, 渡邊幸志, 船戸充, 川上養一. 深紫外CW・時間分解PL分光法による¹²C/¹³C超格子の光学特性評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 65th
石井良太, 鹿田真一, 寺地徳之, 神田久生, 渡邊幸志, 船戸充, 川上養一. 深紫外CWレーザにより生成したダイヤモンド結晶中の極低温励起子に対する同位体効果. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 78th
Ishii Ryota, Funato Mitsuru, Kawakami Yoichi. Determination of Material Parameters in GaN and AlN for Predicting the Properties of AlGaN-based Semiconductors. Journal of the Japanese Association of Crystal Growth. 2014. 41. 3. 138-145

Books (1)：

光と物質の量子相互作用ハンドブック
エヌ・ティー・エス 2023 ISBN:9784860438265

Lectures and oral presentations (12)：

Fundamental optical properties of AlN revealed by deep-ultraviolet spectroscopy
(International Conference on Nitride Semiconductors 14 2023)
Spontaneous and stimulated emission physics of aluminum nitride
(SPIE PHOTONICS WEST 2023 2023)
Luminescence spectroscopies on 265-nm AlGaN DUV LEDs and AlN films grown on AlN substrates
(SPIE PHOTONICS WEST 2022 2022)
Recent progress in deep-ultraviolet scanning near-field optical microscope: a tool visualizing the luminescence properties of Al-rich AlGaN active layers
(2021)
Exciton fine structure of aluminum nitride
(2020)

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Professional career (1)：

博士(工学) (京都大学)

Work history (5)：

2014/04 - 現在 Kyoto University Graduate School of Engineering, Department of Electronic Science and Engineering
2019/05 - 2019/06 モンペリエ大学シャルルクーロン研究所客員研究員
2013/04 - 2014/03 Kyoto University Graduate School of Engineering, Department of Electronic Science and Engineering
2010/04 - 2013/03 Kyoto University Graduate School of Engineering
2008/04 - 2010/03 Kyoto University Graduate School of Engineering

Committee career (10)：

2022/03 - 現在応用物理学会学術講演会中分類 15.4 プログラム編集委員
2019/04 - 現在 14th International Conference on Nitride Semiconductors Financial Committee
2021/04 - 2023/03 応用物理学会関西支部幹事
2019/04 - 2021/03 電子材料シンポジウム(EMS 38-39) 企業展示委員
2018 - 2018 Intenational Worikshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2018 General affair

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Awards (7)：

2023/08 - 2023 Masao Horiba Awards
2022/03 - 最優秀ポスター賞高空間分解能を有する深紫外近接場光学顕微鏡の開発
2019/11 - エヌエフ基金第8回研究開発奨励賞(優秀賞)
第8回窒化物半導体結晶成長講演会研究奨励賞
第31回電子材料シンポジウム EMS賞

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※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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