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J-GLOBAL ID：201402200328217814   Reference number：14A0555915

Oxidation of GaN(0001) by low-energy ion bombardment

低エネルギーイオン衝撃によるGaN(0001)の酸化

Author (5)： GRODZICKI M. ,  MAZUR P. ,  ZUBER S. ,  BRONA J. ,  CISZEWSKI A.
Material： Applied Surface Science  (Appl Surf Sci)
Volume： 304  Page： 20-23  Publication year： Jun. 15, 2014 
JST Material Number： B0707B  ISSN： 0169-4332  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  substrate (plate) ,  100-1000eV ,  *Oxygen ,  cation ,  *ion collision ,  oxidation ,  *gallium oxide ,  *insulating film ,  room temperature ,  X-ray photoelectron spectrum ,  ultraviolet photoelectron spectrum ,  low energy electron diffraction ,  *interface (surface) ,  *electron affinity ,  valence band ,  *band-offset ,  in situ observation ,  annealing (heat treatment)

JST classification (3)： Interactions with ions  (BK16070Z) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Terms in the title (4)： 低エネルギー ,  イオン衝撃 ,  GaN ,  酸化