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J-GLOBAL ID：201402200923731920   Reference number：14A0370097

Forming Characteristics of NiO-based Resistance Change Random Access Memory

NiOベースの抵抗変化ランダムアクセスメモリの形成特性

Author (4)： NISHI Yusuke (Kyoto Univ.) ,  SASAKURA Hiroki (Kyoto Univ.) ,  IWATA Tatsuya (Kyoto Univ.) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ.)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 61st  Page： ROMBUNNO.18P-E1-10  Publication year： Mar. 03, 2014 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *nickel oxide ,  *RAM ,  *electric resistance ,  switching ,  filament ,  oxide ,  transition metal compound ,  Weibull distribution ,  laminate structure ,  *thin film growth ,  *reactive sputtering ,  RF sputtering ,  flow rate ,  substrate temperature ,  *electron beam deposition ,  film thickness
Semi thesaurus term： resistance random access memory ,  transition metal oxide ,  resistance switching ,  resistive random access memory ,  voltage stress ,  conductive filament

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (2)： 抵抗変化 ,  ランダムアクセスメモリ