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J-GLOBAL ID：201402205402246300   Reference number：14A0226471

Effect of N₂ Gas Pressure Ratio and DC Bias on Formation of Iron Nitride Thin Film by RF Sputtering Method

RFスパッタリング法による窒化鉄薄膜作製に及ぼすN₂ガス分圧比とDCバイアスの影響

Author (2)： SEKI TAKAHIRO (日本大学大学院生産工学研究科電気電子工学専攻) ,  NIIZUMA KIYOZUMI (日本大学生産工学部電気電子工学科)
Material： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
Volume： 134  Issue： 1  Page： 47-52 (J-STAGE)  Publication year： 2014 
JST Material Number： S0808A  ISSN： 0385-4205  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *RF sputtering ,  *nitride ,  *iron compound ,  *thin film growth ,  *partial pressure ,  *bias ,  *nitrogen ,  crystal structure ,  saturation magnetization ,  structure analysis ,  X-ray diffraction ,  coercive force ,  magnetometer ,  pressure effect
Semi thesaurus term： iron nitride ,  Partial Pressure ,  DCバイアス ,  VSM

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (11)：

• (1) T. K. Kim and M. Takahashi : Appl. Phys. Lett., Vol. 20, p. 492 (1972)
• (2) K. Nakajima and S. Okamoto : Appl. Phys. Lett., Vol. 56, p. 92 (1990)
• (3) M. Komuro, Y. Kozono, M. Hanazono, and Y. Sugita : J. Appl. Phys. Lett., Vol. 67, p. 5126 (1990)
• (4) M. Takahashi, H. Takahashi, T. Wakiyama, M. Kinoshita, and W. Ohta : IEEE Trans. Magn., Vol. 29, p. 3040 (1993)
• (5) C. Gao, W. D. Doyle, and M. Shamsuzzoha : J. Appl. Phys., Vol. 73, p. 6579 (1993)

Terms in the title (7)： RFスパッタリング ,  窒化鉄 ,  薄膜作製 ,  N2 ,  ガス分圧 ,  DC ,  バイアス