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J-GLOBAL ID：201402209533188395   Reference number：14A0622757

Influences of low-temperature postdeposition annealing on memory properties of Al/Al₂O₃/Al-rich Al-O/SiO₂/p-Si charge trapping flash memory structures

Al/Al₂O₃/AlリッチAl-O/SiO₂/p-Si電荷トラッピングフラッシュメモリ構造のメモリー特性に及ぼす低温ポスト堆積アニーリングの影響

Author (4)： OZAKI Shinya (Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa, Ishikawa 920-1192, JPN) ,  KATO Takashi (Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa, Ishikawa 920-1192, JPN) ,  KAWAE Takeshi (Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa, Ishikawa 920-1192, JPN) ,  MORIMOTO Akiharu (Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa, Ishikawa 920-1192, JPN)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology & Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, & Phenomena)
Volume： 32  Issue： 3  Page： 031213-031213-5  Publication year： May. 2014 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *flash memory ,  *Aluminum ,  *alumina ,  silicon dioxide ,  silicon ,  *wafer ,  Oxygen ,  Nitrogen ,  heat treatment ,  *carrier capture ,  *capacitance-voltage characteristic ,  retention time ,  durability ,  *holding ,  *MIM structure
Semi thesaurus term： *data retention ,  memory window

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Metal-insulator-metal structures  (BM03087F)

Terms in the title (10)： Al ,  Al2O3 ,  SiO2 ,  Si ,  電荷トラッピング ,  フラッシュメモリ ,  メモリー ,  低温 ,  堆積 ,  アニーリング