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J-GLOBAL ID：201402210265716306   Reference number：14A0512510

Highly piezoelectric co-doped AlN thin films for bulk acoustic wave resonators

バルク音波共振器のための高圧電性共ドーピングAlN薄膜

Author (5)： YOKOYAMA Tsuyoshi (TAIYO YUDEN CO., LTD., Hyogo, JPN) ,  IWAZAKI Yoshiki (TAIYO YUDEN CO., LTD., Hyogo, JPN) ,  ONDA Yousuke (TAIYO YUDEN CO., LTD., Hyogo, JPN) ,  NISHIHARA Tokihiro (TAIYO YUDEN CO., LTD., Hyogo, JPN) ,  UEDA Masanori (TAIYO YUDEN CO., LTD., Hyogo, JPN)
Material： IEEE International Ultrasonics Symposium  (IEEE Int Ultrason Symp)
Volume： 2013 Vol.2  Page： 1382-1385  Publication year： 2013 
JST Material Number： A0437C  ISSN： 1948-5719  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *piezoelectric material ,  acoustic wave ,  *acoustic resonator ,  *aluminum nitride ,  magnesium ,  zirconium
Semi thesaurus term： AlN ,  Bulk Acoustic Wave Resonator ,  Mg ,  zirconium ,  bulk acoustic sound wave

JST classification (1)： Piezoelectric devices  (NC03110I)

Terms in the title (6)： バルク音波 ,  共振器 ,  圧電性 ,  共ドーピング ,  AlN ,  薄膜