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J-GLOBAL ID：201402214211591244   Reference number：14A0233005

A Novel High-Efficiency Gate Drive Circuit for Normally Off-Type GaN FET

ノルマルオフ・タイプGaN FET(電界効果トランジスタ)のための新しい高能率ゲート駆動回路

Author (5)： UMEGAMI Hirokatsu (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  HATTORI Fumiya (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  NOZAKI Yu (Sanken Electric Co., Ltd., Niiza, JPN) ,  YAMAMOTO Masayoshi (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  MACHIDA Osamu (Sanken Electric Co., Ltd., Niiza, JPN)
Material： IEEE Transactions on Industry Applications  (IEEE Trans Ind Appl)
Volume： 50  Issue： 1  Page： 593-599  Publication year： Jan. 2014 
JST Material Number： A0338B  ISSN： 0093-9994  CODEN： ITIACR  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *FET ,  *gate circuit ,  electrical loss ,  power converter
Semi thesaurus term： GAN ,  gating circuit ,  power loss ,  converter

JST classification (1)： Power converters  (NB08030B)

Terms in the title (5)： GaN ,  FET ,  電界効果トランジスタ ,  高能率 ,  ゲート駆動回路