Art

J-GLOBAL ID：201402215451004547   Reference number：14A0661482

Simulation-based design of a strained graphene field effect transistor incorporating the pseudo magnetic field effect

擬磁場効果を組み込んだ歪グラフェン電界効果トランジスタのシミュレーションベース設計

Author (3)： SOUMA Satofumi (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Kobe Univ., 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe 657-8501, JPN) ,  UEYAMA Masayuki (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Kobe Univ., 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe 657-8501, JPN) ,  OGAWA Matsuto (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Kobe Univ., 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe 657-8501, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 104  Issue： 21  Page： 213505-213505-4  Publication year： May. 26, 2014 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,  *carbon material ,  *strain ,  *band structure ,  doping ,  tight binding approximation ,  Green function ,  *switching ,  *simulation ,  *graphene ,  Dirac point
Semi thesaurus term： field effect transistor ,  サブ閾値傾斜

JST classification (4)： Transistors  (NC03070N) ,  Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Computer simulation  (JE11000H)

Terms in the title (6)： 磁場効果 ,  歪 ,  グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  シミュレーション ,  設計