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J-GLOBAL ID：201402216736908586   Reference number：14A0891246

Efficient Activation of As⁺ Ion implantation into Ge substrate for Formation of Low-Resistive Shallow Junction

Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成

Author (9)： HAMADA SHIN'YA (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  MURAKAMI HIDEKI (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  ONO TAKAHIRO (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  HASHIMOTO KUNIAKI (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  OTA AKIO (名古屋大 大学院工学研究科) ,  OTA AKIO (名古屋大 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) ,  HANAFUSA HIROAKI (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  HIGASHI SEIICHIRO (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  MIYAZAKI SEIICHI (名古屋大 大学院工学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 114  Issue： 88(SDM2014 43-61)  Page： 27-30  Publication year： Jun. 12, 2014 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Germanium ,  substrate (plate) ,  *ion implantation ,  *substrate temperature ,  *amorphization ,  *arsenic ,  *clustering ,  *activation ,  semiconductor junction ,  annealing (heat treatment) ,  recrystallization ,  heating ,  *N-type semiconductor ,  *MISFET ,  depth distribution ,  temperature dependence ,  exposure radiation dose ,  Raman scattering ,  Raman spectrum ,  ellipsometry ,  Joule heating ,  shallow junction ,  *modification
Semi thesaurus term： 高効率活性化 ,  shallow junction ,  post annealing ,  recrystallization ,  spectroscopic ellipsometry

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (7)：

• C. O. Chui et al., Appl. Phys. Lett., vol.87, 091909 (3pages), 2005.
• M. Koike et al., J. Appl. Phys., vol.104, 023523 (5pages), 2008.
• W. M. Lau et al., vol.67 no.8, pp.3821-3825, 1990.
• Y. Takamura et al., J. Appl. Phys., vol.92, no.9, pp.5503-5507, 2002.
• M. Takakura et al., Jpn. J. Appl. Phys., 30 (1991) 3627.

Terms in the title (5)： Ge基板 ,  高効率 ,  活性化 ,  低抵抗 ,  浅接合