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J-GLOBAL ID：201402218101477859   Reference number：14A1100330

スパッタエピタキシー法を用いたSi直上へのGeSn薄膜の形成

Author (6)： TSUKAMOTO TAKAHIRO (東京農工大 大学院) ,  HIROSE NOBUMITSU (情報通信研究機構) ,  KASAMATSU AKIFUMI (情報通信研究機構) ,  MIMURA TAKASHI (情報通信研究機構) ,  MATSUI TOSHIAKI (情報通信研究機構) ,  SUDA YOSHIYUKI (東京農工大 大学院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 75th  Page： ROMBUNNO.19P-A16-4  Publication year： Sep. 01, 2014 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *sputtering ,  *epitaxy ,  wafer ,  tin containing alloy ,  *germanium base alloy ,  semiconductor thin film ,  atomic force microscope ,  Raman spectroscopy ,  X-Ray Diffraction ,  Raman spectrum ,  flatness (property) ,  crystallinity ,  silicon ,  *thin film growth ,  Si wafer
Semi thesaurus term： silicon substrate

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： スパッタエピタキシー法 ,  Si ,  直上 ,  薄膜