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J-GLOBAL ID：201402219800617085   Reference number：14A0567103

A Survey of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices

ワイドバンドギャップ半導体デバイスの調査

Author (5)： MILLAN Jose (Universitat Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP) ,  GODIGNON Philippe (Universitat Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP) ,  PERPINA Xavier (Universitat Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP) ,  PEREZ-TOMAS Amador (Universitat Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP) ,  REBOLLO Jose (Universitat Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP)
Material： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Trans Power Electron)
Volume： 29  Issue： 5  Page： 2155-2163  Publication year： May. 2014 
JST Material Number： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *compound semiconductor ,  band gap ,  semiconductor device ,  power electronics ,  frequency (Hz) ,  *silicon carbide ,  *gallium nitride ,  high voltage ,  high temperature ,  junction FET ,  thyristor ,  IGBT ,  MOSFET ,  HEMT ,  technological trend ,  *wide band gap semiconductor
Semi thesaurus term： GAN ,  junction field effect transistor ,  SiC ,  switching frequency ,  power device ,  *wide band-gap semiconductor ,  high temperature

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  General subjects on production  (NA01060I)

Terms in the title (2)： ワイドバンドギャップ半導体 ,  調査