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J-GLOBAL ID：201402224064210332   Reference number：14A0752356

Fabrication of Ni-doped TiO₂ thin film photoelectrode for solar cells

太陽電池用NiドープTiO₂薄膜光電極の作製

Author (6)： RANJITHA A. (Dep. of Physics, Coimbatore Inst. of Technol., Coimbatore, IND) ,  MUTHUKUMARASAMY N. (Dep. of Physics, Coimbatore Inst. of Technol., Coimbatore, IND) ,  THAMBIDURAI M. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Global Frontier Center for Multiscale, Energy Systems, Seoul National ...) ,  VELAUTHAPILLAI Dhayalan (Dep. of Engineering, Univ. Coll. of Bergen, Bergen, NOR) ,  BALASUNDARAPRABHU R. (Dep. of Physics, PSG Coll. of Technol., Coimbatore, IND) ,  AGILAN S. (Dep. of Physics, Coimbatore Inst. of Technol., Coimbatore, IND)
Material： Solar Energy  (Sol Energy)
Volume： 106  Page： 159-165  Publication year： Aug. 2014 
JST Material Number： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *solar cell ,  *Nickel ,  *doping ,  *titanium oxide ,  sol-gel process ,  nano crystal ,  *quantum dot solar cell
Semi thesaurus term： *quantum dot sensitized solar cell

JST classification (1)： Solar cell  (NC03084O)

Terms in the title (7)： 太陽電池 ,  Ni ,  ドープ ,  TiO2 ,  薄膜 ,  光電極 ,  作製