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J-GLOBAL ID：201402226793648677   Reference number：14A0268143

Low-Voltage Steep Turn-On pMOSFET Using Ferroelectric High-κ Gate Dielectric

強誘電性高κゲート誘電体を用いた低電圧急峻ターンオンp型MOSFET

Author (2)： CHENG Chun Hu (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  CHIN Albert (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 35  Issue： 2  Page： 274-276  Publication year： Feb. 2014 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *turn-on ,  *ferroelectricity ,  oxide film ,  *MOSFET ,  threshold ,  gradient ,  leakage current ,  zirconium oxide ,  hafnium oxide ,  integrated circuit ,  gate dielectric film
Semi thesaurus term： *p-type MOSFET ,  gate dielectric ,  subthreshold

JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 強誘電性 ,  高κゲート誘電体 ,  低電圧 ,  ターンオン ,  p型MOSFET