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J-GLOBAL ID：201402234114590650   Reference number：14A1322199

Determination of Material Parameters in GaN and AlN for Predicting the Properties of AlGaN-based Semiconductors

固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線 (Al,Ga)N系半導体の物性予測に向けたGaNとAlNの物性定数の同定

Author (3)： ISHII RYOTA (京大) ,  FUNATO MITSURU (京大) ,  KAWAKAMI YOICHI (京大)
Material： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
Volume： 41  Issue： 3  Page： 138-145  Publication year： Oct. 2014 
JST Material Number： F0452C  ISSN： 2188-7268  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *aluminum nitride ,  compound semiconductor ,  *numerical value ,  *parameter ,  stress (mechanics) ,  spectroscopy ,  deformation potential ,  *exciton ,  approximation method ,  *property value ,  material parameter ,  reflectance spectroscopy ,  uniaxial stress
Semi thesaurus term： uniaxial stress

JST classification (3)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X) ,  Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A) ,  Excitons  (BM02120E)

Reference (21)：

• J. I. Hwang, R. Hashimoto, S. Saito, and S. Nunoue: Appl. Phys. Express, 7 (2014) 071003
• T. Frost, A.Banerjee, K. Sun, S. L. Chuang, and P. Bhattacharya: IEEE J. Quantum. Electron., 49 (2013) 923
• International Energy Agency: Light’s Labour’s Lost, Policies for Energy-Efficient Lighting, (IEA Publications, 2006)
• R. Ishii, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, and A. A. Yamaguchi: Phys. Rev., B 81 (2010) 155202
• R. Ishii, A. Kaneta, M. Funato, and Y. Kawakami: Phys. Rev., B 87 (2013) 235201

Terms in the title (12)： 固体 ,  紫外光源 ,  窒化物半導体 ,  結晶成長 ,  Al ,  Ga ,  物性 ,  予測 ,  GaN ,  AlN ,  定数 ,  同定