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J-GLOBAL ID：201402237310347479   Reference number：14A0985549

High power AlGaN ultraviolet light emitters

高出力AlGaN紫外発光ダイオード

Author (13)： SHATALOV Max (Sensor Electronic Technol., Inc., SC, USA) ,  SUN Wenhong (Sensor Electronic Technol., Inc., SC, USA) ,  JAIN Rakesh (Sensor Electronic Technol., Inc., SC, USA) ,  LUNEV Alex (Sensor Electronic Technol., Inc., SC, USA) ,  HU Xuhong (Sensor Electronic Technol., Inc., SC, USA) ,  DOBRINSKY Alex (Sensor Electronic Technol., Inc., SC, USA) ,  BILENKO Yuri (Sensor Electronic Technol., Inc., SC, USA) ,  YANG Jinwei (Sensor Electronic Technol., Inc., SC, USA) ,  GARRETT Gregory A (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  RODAK Lee E (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  WRABACK Michael (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  SHUR Michael (Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA) ,  GASKA Remis (Sensor Electronic Technol., Inc., SC, USA)
Material： Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)
Volume： 29  Issue： 8  Page： 084007,1-6  Publication year： Aug. 2014 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum compound ,  *gallium compound ,  *nitride ,  *light emitting diode ,  multiple quantum well ,  output ,  high power output ,  *deep-ultraviolet light-emitting diode ,  *aluminum gallium nitride ,  ultraviolet light emitting diode
Semi thesaurus term： *AlGaN ,  ultraviolet light emitting diode ,  deep-ultraviolet LED

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (3)： 高出力 ,  AlGaN ,  紫外発光ダイオード