Art

J-GLOBAL ID：201402243177093337   Reference number：14A0575839

Improved calculation of band gap of Bi₂GaTaO₇ crystal with modified Becke-Johnson exchange potential

改良型Becke-Johnson交換ポテンシャルを用いたBi₂GaTaO₇に関する第一原理エネルギーバンド計算

Author (6)： MATSUSHIMA SHIGENORI (北九州工高専) ,  OBUKURO YUKI (九州工大 大学院) ,  OBATA KENJI (北九州工高専) ,  NAKAMURA HIROYUKI (北九州工高専) ,  ARAI MASAO (物質材料機構) ,  KOBAYASHI KENKICHIRO (静岡大 大学院)
Material： 北九州工業高等専門学校研究報告(Web)  (Research Report of National Institute of Technology, Kitakyushu College (Web))
Issue： 47  Page： 53-56 (WEB ONLY)  Publication year： Jan. 2014 
JST Material Number： U0250A  ISSN： 2185-7598  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *calculation ,  state density ,  valence band ,  dielectric function ,  refractive index ,  photocatalyst ,  catalytic activity ,  *tantalate ,  bismuth compound ,  gallium compound ,  ab initio method ,  optical property ,  electronic structure ,  *ab initio calculation ,  complex dielectric function ,  *energy band
Semi thesaurus term： *energy band

JST classification (2)： Bases,metal oxides  (CD01030Z) ,  Electronic structure of molecules  (BH05010Q)

Terms in the title (3)： 第一原理 ,  エネルギーバンド ,  計算