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J-GLOBAL ID：201402246551238327   Reference number：14A0380869

4H-SiC MISFETs With 4H-AlN Gate Insulator Isopolytypically Grown on 4H-SiC (11<span style=text-decoration:overline>2</span>0)

4H-SiC(11-20)上に4H-AlNゲート絶縁体をポリタイプ整合成長させた4H-SiC MISFET

Author (4)： HORITA Masahiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NOBORIO Masato (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 35  Issue： 3  Page： 339-341  Publication year： Mar. 2014 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MISFET ,  *silicon carbide ,  *aluminum nitride ,  *oxide film ,  polytype ,  carrier mobility ,  leakage current ,  MBE growth ,  interface (surface) ,  *gate dielectric film ,  field effect mobility ,  *conversion coating film
Semi thesaurus term： *4H-SiC ,  *gate dielectric ,  gate leakage current

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： 4H-SiC ,  AlN ,  ゲート絶縁体 ,  ポリタイプ ,  整合 ,  成長 ,  MISFET