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J-GLOBAL ID：201402247916438610   Reference number：14A1234160

Determining sample alignment in x-ray reflectometry using thickness and density from GaAs/AlAs multilayer certified reference materials

GaAs/AlAs多層の認められた参照物質からの厚みと密度を使ったX線反射法における試料アラインメントの決定

Author (4)： WINDOVER D (National Inst. of Standards and Technol., MD, USA) ,  GIL D L (National Inst. of Standards and Technol., MD, USA) ,  AZUMA Y (National Metrology Inst. of Japan, Tsukuba, JPN) ,  FUJIMOTO T (National Metrology Inst. of Japan, Tsukuba, JPN)
Material： Measurement Science and Technology  (Meas Sci Technol)
Volume： 25  Issue： 10  Page： 105007,1-8  Publication year： Oct. 2014 
JST Material Number： C0354C  ISSN： 0957-0233  CODEN： MSTCEP  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *X-ray reflection ,  *gallium arsenide ,  aluminum arsenide ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  multilayer film ,  *alignment ,  angle of incidence ,  calibration ,  standard substance ,  uncertainty ,  incommensurability
Semi thesaurus term： uncertainty of the measurement ,  misalignment

JST classification (1)： X-ray diffraction methods  (BK01020I)

Terms in the title (8)： GaAs ,  AlAs ,  多層 ,  厚み ,  密度 ,  X線反射 ,  試料 ,  アラインメント