Art

J-GLOBAL ID：201402255619432070   Reference number：14A0363458

Electrochemical formation of GaAs honeycomb structure using a fluoride-containing (NH₄)₂SO₄ solution

フッ化物を含む(NH₄)₂SO₄溶液を使ったGaAsハニカム構造の電気化学的形成

Author (3)： MORISHITA Yoshitaka ,  YAMAMOTO Hitoshi ,  YOKOBORI Kuniyuki
Material： Thin Solid Films
Volume： 556  Page： 333-336  Publication year： Apr. 01, 2014 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ammonium compound ,  *sulfide (chalcogenide) ,  fluorine ,  *gallium arsenide ,  *honeycomb structure ,  Electrochemistry ,  scanning electron microscope ,  anode ,  treatment ,  Time ,  photoluminescence ,  ammonium sulfide

JST classification (1)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (5)： フッ化物 ,  溶液 ,  GaAs ,  ハニカム構造 ,  電気化学