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J-GLOBAL ID：201402259769412030   Reference number：14A0765276

High carrier mobility in orientation-controlled large-grain (≧50 μm) Ge directly formed on flexible plastic by nucleation-controlled gold-induced-crystallization

核形成を制御する金誘起結晶化による柔軟性プラスチック上に形成された方位を制御した大結晶粒(≧50μm)のGeにおける高キャリア移動度

Author (5)： PARK Jong-hyeok (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  KASAHARA Kenji (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  HAMAYA Kohei (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  MIYAO Masanobu (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  SADOH Taizoh (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 104  Issue： 25  Page： 252110-252110-4  Publication year： Jun. 23, 2014 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nucleation ,  *crystallization ,  Gold ,  substrate (plate) ,  flexibility ,  plastic ,  *Germanium ,  semiconductor ,  crystal grain size ,  carrier mobility ,  positive hole ,  solid solubility ,  temperature dependence ,  *metal induced crystallization ,  hole mobility

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (9)： 核形成 ,  金 ,  誘起 ,  結晶化 ,  プラスチック ,  方位 ,  結晶粒 ,  Ge ,  キャリア移動度