Art

J-GLOBAL ID：201402259984577775   Reference number：14A0870366

Two shallow donors related to Zn interstitial in S-ion implanted ZnO epitaxial film

Sイオンを注入したZnOエピタキシャル膜中のZn格子間種と関係する2種類の浅いドナー

Author (3)： KAMIOKA K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  KURIYAMA K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  KUSHIDA K. (Osaka Kyouiku Univ., Osaka, JPN)
Material： Solid State Communications  (Solid State Commun)
Volume： 188  Page： 12-14  Publication year： Jun. 2014 
JST Material Number： H0499A  ISSN： 0038-1098  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *zinc oxide ,  compound semiconductor ,  *ion implantation ,  interstitial atom ,  *donor ,  shallow level ,  Sulfur ,  epitaxy ,  *electrical resistivity ,  activation energy ,  Rutherford scattering spectroscopy ,  ion channeling ,  complex defect ,  carrier density ,  oxide semiconductor
Semi thesaurus term： Rutherford backscattering spectroscopy

JST classification (2)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (7)： イオン ,  注入 ,  ZnO ,  エピタキシャル膜 ,  Zn ,  格子 ,  浅いドナー