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J-GLOBAL ID：201402260067713218   Reference number：14A0371551

ミニマルCVDプロセスによるシリコン薄膜成長

Author (11)： IKEDA SHIN'ICHI (ミニマルファブ技術研究組合) ,  IKEDA SHIN'ICHI (産業技術総合研) ,  ISHIDA YUKI (ミニマルファブ技術研究組合) ,  ISHIDA YUKI (産業技術総合研) ,  MIKAHARA TAKANORI (ミニマルファブ技術研究組合) ,  NAKATO KATSUHIKO (ミニマルファブ技術研究組合) ,  HABUKA HITOSHI (横浜国大) ,  KHUMPUANG Sommawan (ミニマルファブ技術研究組合) ,  KHUMPUANG Sommawan (産業技術総合研) ,  HARA SHIRO (ミニマルファブ技術研究組合) ,  HARA SHIRO (産業技術総合研)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 61st  Page： ROMBUNNO.19P-E14-17  Publication year： Mar. 03, 2014 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor process ,  *chemical vapor deposition ,  *silicon ,  *thin film growth ,  semiconductor thin film ,  silicon compound ,  silicon chloride ,  thermal decomposition ,  polycrystal ,  X-Ray Diffraction ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  Trichlorosilane

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： CVD ,  プロセス ,  シリコン ,  薄膜成長