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J-GLOBAL ID：201402262820532402   Reference number：14A1103512

Hyperdoping of silicon with deep-level impurities by pulsed YAG laser melting

シリコンのパルスYAGレーザ融解による深い準位不純物によるハイパードーピング

Author (10)： UMEZU Ikurou (Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN) ,  NAITO Muneyuki (Konan Univ., Dep. of Chemistry, 658-8501, Kobe, JPN) ,  KAWABE Daisuke (Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN) ,  KOSHIBA Yusuke (Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN) ,  NAGAO Katsuki (Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN) ,  SUGIMURA Akira (Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN) ,  AOKI Tamao (Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN) ,  INADA Mitsuru (Kansai Univ., Dep. of Pure and Applied Physics, 564-8680, Suita, JPN) ,  SAITOH Tadashi (Kansai Univ., Dep. of Pure and Applied Physics, 564-8680, Suita, JPN) ,  KOHNO Atsushi (Fukuoka Univ., Dep. of Applied Physics, 814-0180, Fukuoka, JPN)
Material： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Solids and Surfaces)
Volume： 117  Issue： 1  Page： 155-159  Publication year： Oct. 2014 
JST Material Number： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,  *ion implantation ,  *laser melting ,  *deep level ,  impurity ,  *doping ,  *Sulfur ,  *Titanium ,  crystallinity ,  segregation (concentration distribution) ,  crystallization ,  pulsed laser irradiation ,  YAG laser ,  impurity distribution ,  *single crystal ,  *depth distribution ,  infrared absorption spectrum ,  photoconductivity ,  mid infrared
Semi thesaurus term： *hyperdoping ,  photoconductivity

JST classification (3)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Laser irradiation effects and damages  (BK16040S)

Terms in the title (6)： シリコン ,  パルス ,  YAGレーザ ,  融解 ,  深い準位 ,  不純物