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J-GLOBAL ID：201402263256898384   Reference number：14A0442805

Fabrication of a single layer graphene by copper intercalation on a SiC(0001) surface

SiC(0001)表面上の銅インターカレーションによる単層グラフェンの作製

Author (7)： YAGYU Kazuma (Dep. of Electronics Engineering and Computer Sci., Fukuoka Univ., Fukuoka 814-0180, JPN) ,  TAJIRI Takayuki (Dep. of Applied Physics, Fukuoka Univ., Fukuoka 814-0180, JPN) ,  KOHNO Atsushi (Dep. of Applied Physics, Fukuoka Univ., Fukuoka 814-0180, JPN) ,  TAKAHASHI Kazutoshi (Synchrotron Light Application Center, Saga Univ., 1 Honjo, Saga 840-8502, JPN) ,  TOCHIHARA Hiroshi (Dep. of Electronics Engineering and Computer Sci., Fukuoka Univ., Fukuoka 814-0180, JPN) ,  TOMOKAGE Hajime (Dep. of Electronics Engineering and Computer Sci., Fukuoka Univ., Fukuoka 814-0180, JPN) ,  SUZUKI Takayuki (Dep. of Electronics Engineering and Computer Sci., Fukuoka Univ., Fukuoka 814-0180, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 104  Issue： 5  Page： 053115-053115-4  Publication year： Feb. 03, 2014 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  carbon material ,  *intercalation ,  heat treatment ,  superlattice ,  interference fringe ,  copper ,  N-type semiconductor ,  scanning tunneling microscope ,  *band structure ,  *X-ray photoelectron spectrum ,  angle resolved spectroscopy ,  photoelectron spectroscopy ,  doping
Semi thesaurus term： *monolayer graphene ,  thermal annealing ,  moire fringe ,  ARPES ,  N型ドーピング

JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (5)： SiC ,  銅 ,  インターカレーション ,  単層グラフェン ,  作製