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J-GLOBAL ID：201402264555528204   Reference number：14A0606974

Dependence of Particle Size on the Removal of Particles on a Silicon Surface by Using Electrostatic Force

静電吸着によるシリコン表面上の微粒子除去における微粒子サイズの影響

Author (1)： TAKAHASHI KAZUE (大島商船高等専門学校電子機械工学科)
Material： Journal of the Vacuum Society of Japan  (真空)
Volume： 57  Issue： 4  Page： 140-143 (J-STAGE)  Publication year： 2014 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 1882-2398  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *fine particle ,  static electricity ,  removal ,  glass ,  *adsorption ,  *cleaning(washing)
Semi thesaurus term： particle removal ,  *electrostatic adsorption ,  *silicon wafer cleaning

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Electrostatics,magnetostatics  (BD01010C)

Reference (21)：

• 1) ITRS 2012 Edition, Table FEP10.
• 2) M. Kazemi, H. Treichel and R. Ligutorn: Advanced Semicond. Manuf. Conf. (ASMC) 22nd Annual IEEE/SEMI, Saratoga Springs, USA (2011) 1.
• 3) Q. Qui and G. J. Brereton: IEEE Trans. Ultrason. Ferroelect. Freq. Cont., 42 (1995) 619.
• 4) H. Lin, K. Chioujones, J. Lauerhaas, T. Freebern and C. Yu: IEEE Trans. Semicond. Manuf., 24 (2007) 101.
• 5) D. Kim, Y. Kim, J. Ryu and H. Kim: Jpn. J. Appl. Phys., 41 (2002) 4563.

Terms in the title (4)： 静電吸着 ,  シリコン ,  微粒子除去 ,  微粒子サイズ