Art

J-GLOBAL ID：201402266157105843   Reference number：13A1954629

Stabilities of GaAs(100) Surfaces under As₂, H₂, and N₂ Conditions as a Model for Vapor-Phase Epitaxy of GaAs_1-xN_x: a First-Principles Study

_1-xN_xの気相エピタクシーに対するモデルとしてのAs₂,H₂及びN₂条件下のGaAs(100)表面び安定性:第一原理研究

Author (3)： VALENCIA Hubert (Kyushu Univ.) ,  KANGAWA Yoshihiro (Kyushu Univ.) ,  KAKIMOTO Koichi (Kyushu Univ.)
Material： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
Volume： 43rd  Page： ROMBUNNO.07AB07  Publication year： 2013 
JST Material Number： L6730B  ISSN： 2188-7268  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium compound ,  *arsenide ,  *nitride ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *vapor phase growth ,  gallium arsenide ,  arsenic ,  Hydrogen ,  *Adsorption ,  substitution reaction ,  Nitrogen ,  *first principle ,  stability ,  simulation model ,  *gallium arsenide nitride
Semi thesaurus term： *vapor phase epitaxy

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electron theory of adsorption  (CB12042Y)

Terms in the title (8)： 気相エピタクシー ,  モデル ,  H2 ,  N2 ,  GaAs ,  安定性 ,  第一原理 ,  研究