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J-GLOBAL ID：201402268878640041   Reference number：14A0830233

Observation of the adsorption and desorption kinetics of weakly bound CO on Si(001)-c(4×2) by means of scanning tunneling microscopy

走査トンネル顕微鏡法によるSi(001)-c(4×2)上に弱く固定されたCOの吸着および脱着反応の観察

Author (5)： MOMOSE T. (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  OHNO S. (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  KITAJIMA T. (National Defense Acad., Yokohama, JPN) ,  SUZUKI T. (National Defense Acad., Yokohama, JPN) ,  TANAKA M. (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 627  Page： 29-33  Publication year： Sep. 2014 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *scanning tunneling microscope ,  microscopy ,  *silicon ,  *single crystal ,  *surface ,  *carbon monoxide ,  *adsorption ,  *desorption ,  reaction mechanism ,  *reaction kinetics ,  reaction rate ,  surface reaction ,  surface structure ,  molecular dynamics

JST classification (3)： Study of adsorption by physical means  (CB12043P) ,  Inorganic compounds and elements in general  (CD01010D) ,  Other noncatalytic reactions  (CB06070U)

Terms in the title (6)： 走査トンネル顕微鏡 ,  Si ,  CO ,  吸着 ,  脱着 ,  観察