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J-GLOBAL ID：201402269789748870   Reference number：14A0985547

High-output-power 255/280/310 nm deep ultraviolet light-emitting diodes and their lifetime characteristics

高出力255/280/310nm深紫外発光ダイオードとその寿命特性

Author (8)： FUJIOKA A (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  ASADA K (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  YAMADA H (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  OHTSUKA T (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  OGAWA T (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  KOSUGI T (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  KISHIKAWA D (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MUKAI T (Nichia Corp., Tokushima, JPN)
Material： Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)
Volume： 29  Issue： 8  Page： 084005,1-5  Publication year： Aug. 2014 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *light emitting diode ,  ultraviolet radiation ,  output ,  *lifetime ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  nitride ,  high power output ,  *deep UV ,  *deep-ultraviolet light-emitting diode ,  aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： AlGaN ,  deep-ultraviolet LED ,  *long life

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (3)： 高出力 ,  深紫外発光ダイオード ,  寿命