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J-GLOBAL ID：201402274243828842   Reference number：14A1039910

Silicon Carbide Power MOSFETs: Breakthrough Performance from 900V up to 15kV

炭化ケイ素電力MOSFET:900Vから15kVへ上昇する絶縁破壊特性

Author (12)： PALMOUR J.W. (Cree, Inc., NC, USA) ,  CHENG L. (Cree, Inc., NC, USA) ,  PALA V. (Cree, Inc., NC, USA) ,  BRUNT E.V. (Cree, Inc., NC, USA) ,  LICHTENWALNER D.J. (Cree, Inc., NC, USA) ,  WANG G-Y (Cree, Inc., NC, USA) ,  RICHMOND J. (Cree, Inc., NC, USA) ,  O'LOUGHLIN M. (Cree, Inc., NC, USA) ,  RYU S. (Cree, Inc., NC, USA) ,  ALLEN S.T. (Cree, Inc., NC, USA) ,  BURK A.A. (Cree, Inc., NC, USA) ,  SCOZZIE C. (U.S. Army Res. Lab., MD, USA)
Material： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's)
Volume： 26th  Page： 79-82  Publication year： 2014 
JST Material Number： W1300A  ISSN： 1943-653X  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  power transistor ,  *MOSFET ,  *dielectric breakdown ,  hexagonal system ,  on resistance ,  *optimum design ,  voltage ,  turn-off ,  HF ,  high voltage ,  switching loss ,  MOS structure
Semi thesaurus term： 4H-SiC ,  specific on-resistance ,  breakdown voltage ,  DMOSFET ,  DMOS structure

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： 炭化ケイ素 ,  電力MOSFET ,  絶縁 ,  破壊特性