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J-GLOBAL ID：201402278092184056   Reference number：14A1358370

Development of Large-Area Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrates

Si基板上にエピタキシャル成長させた厚い単結晶CdTe層を用いた大面積イメージングアレイの開発

Author (10)： NIRAULA M. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  YASUDA K. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  YAMASHITA H. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  WAJIMA Y. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  MATSUMOTO M. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  TAKAI N. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  TSUKAMOTO Y. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SUZUKI Y. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  TSUKAMOTO Y. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  AGATA Y. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
Material： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Trans Nucl Sci)
Volume： 61  Issue： 5,Pt.2  Page： 2555-2558  Publication year： Oct. 2014 
JST Material Number： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： wafer ,  *epitaxy ,  single crystal ,  *cadmium telluride ,  semiconductor material ,  compound semiconductor ,  crystal growth ,  semiconductor thin film ,  N-type semiconductor ,  P-type semiconductor ,  heterojunction ,  diode ,  *semiconductor radiation detector ,  dark current ,  MOCVD ,  junction diode ,  *pixel detector ,  Si wafer
Semi thesaurus term： silicon substrate ,  metal organic vapor phase epitaxy

JST classification (1)： Radiation detection and detectors  (AD08020J)

Terms in the title (7)： Si基板 ,  エピタキシャル成長 ,  単結晶 ,  大面積 ,  イメージング ,  アレイ ,  開発