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J-GLOBAL ID：201402280411006888   Reference number：14A0833050

Room Temperature Electrically Injected Polariton Laser

室温の電気的に注入したポラリトンレーザ

Author (7)： BHATTACHARYA Pallab (Univ. Michigan, Michigan, USA) ,  FROST Thomas (Univ. Michigan, Michigan, USA) ,  DESHPANDE Saniya (Univ. Michigan, Michigan, USA) ,  BATEN Md Zunaid (Univ. Michigan, Michigan, USA) ,  HAZARI Arnab (Univ. Michigan, Michigan, USA) ,  DAS Ayan (Univ. Michigan, Michigan, USA) ,  DAS Ayan (Intel Corp., Oregon, USA)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 112  Issue： 23  Page： 236802.1-236802.5  Publication year： Jun. 13, 2014 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor laser ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  micro cavity ,  diode ,  threshold ,  blue shift ,  spectral linewidth ,  angle resolved spectroscopy ,  photoluminescence ,  polariton ,  injection laser ,  injection (pour)
Semi thesaurus term： *polariton laser ,  exciton polariton ,  *current injection

JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (3)： 室温 ,  注入 ,  ポラリトンレーザ