Art

J-GLOBAL ID：201402283079011782   Reference number：14A1471190

Recent progress and future prospects of AlGaN-based high-efficiency deep-ultraviolet light-emitting diodes

AlGaNを基本とする高効率の深紫外線発光ダイオードの最近の進歩と更なる展望

Author (6)： HIRAYAMA Hideki (RIKEN, Saitama, JPN) ,  MAEDA Noritoshi (RIKEN, Saitama, JPN) ,  FUJIKAWA Sachie (RIKEN, Saitama, JPN) ,  TOYODA Shiro (RIKEN, Saitama, JPN) ,  TOYODA Shiro (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  KAMATA Norihiko (Saitama Univ., Saitama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 53  Issue： 10  Page： 100209.1-100209.10  Publication year： Oct. 2014 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *light emitting diode ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  *nitride ,  *ultraviolet radiation ,  compound semiconductor ,  substrate (plate) ,  sapphire ,  threading dislocation ,  dislocation density ,  *layer ,  aluminum nitride ,  semiconductor thin film ,  *quantum efficiency ,  *carrier injection ,  electron ,  barrier ,  efficiency ,  deep UV ,  contact layer ,  *aluminum gallium nitride ,  ore ,  precious stone
Semi thesaurus term： *aluminium gallium nitride ,  *sacrificial layer ,  internal quantum efficiency ,  電子注入効率 ,  external quantum efficiency ,  多重量子井戸障壁 ,  light extraction efficiency

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (46)：

• A. Zukauskas, M. S. Shue, and R. Gaska, Introduction to Solid-State Lighting (Wiley, New York, 2002).
• H. Hirayama, J. Appl. Phys. 97, 091101 (2005).
• J. Han, M. H. Crawford, R. J. Shul, J. J. Figiel, M. Banas, L. Zhang, Y. K. Song, H. Zhou, and A. V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 73, 1688 (1998).
• A. Kinoshita, H. Hirayama, M. Ainoya, A. Hirata, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 77, 175 (2000).
• T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 79, 711 (2001).

Terms in the title (4)： AlGaN ,  高効率 ,  紫外線発光ダイオード ,  展望