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J-GLOBAL ID：201402285843094151   Reference number：14A0998757

Crystal Growth and Interface Engineering of Group-IV Semiconductor Materials for Multi-Junction Solar Cells

ナノ・ヘテロ構造を利用した太陽電池 多層セル型太陽電池用IV族多元系混晶の結晶成長と界面構造制御

Author (2)： NAKATSUKA OSAMU (名古屋大 大学院工学研究科) ,  ZAIMA SHIGEAKI (名古屋大 大学院工学研究科)
Material： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
Volume： 41  Issue： 2  Page： 74-80  Publication year： Jul. 2014 
JST Material Number： F0452C  ISSN： 2188-7268  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *solar cell ,  *multistory structure ,  thin film growth ,  substrate (plate) ,  *Germanium ,  lattice match ,  *substitutional atom ,  *silicon ,  *solid solution ,  semiconductor thin film ,  *tin compound ,  thermal stability ,  *multi-component system
Semi thesaurus term： pseudomorphic growth ,  mixed crystal

JST classification (1)： Solar cell  (NC03084O)

Reference (20)：

• 一木 修:太陽電池技術ハンドブック,pp. 12-27, 小長井誠,植田譲 編(オーム社,2013 年)
• 小長井誠: 応用物理,79 (2010) 393
• M. Konagai: Jpn. J. Appl. Phys., 50 (2011) 030001
• 高本達也: シャープ技報,100 (2010) 38
• Y. -Y. Fang, J. Xie, J. Tolle, R. Roucka, V. R. D'Costa, AVG Chizmeshya, J. Menendez, and J. Kouvetakis: J. Am. Chem. Soc., 130 (2008) 16095

Terms in the title (7)： ヘテロ構造 ,  太陽電池 ,  多層 ,  セル ,  混晶 ,  結晶成長 ,  界面構造