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J-GLOBAL ID：201402286021390413   Reference number：14A0567132

Evaluation and Application of 600V GaN HEMT in Cascode Structure

カスコード構造の600V GaN HEMTの評価と適用

Author (4)： HUANG Xiucheng (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA) ,  LIU Zhengyang (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA) ,  LI Qiang (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA) ,  LEE Fred C. (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA)
Material： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Trans Power Electron)
Volume： 29  Issue： 5  Page： 2453-2461  Publication year： May. 2014 
JST Material Number： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *cascade connection ,  *HEMT ,  *gallium nitride ,  energy density ,  electric power ,  power conversion ,  switching ,  soft switching ,  DC-DC converter ,  inductance
Semi thesaurus term： *GaN HEMT ,  *cascode ,  hard switching ,  parasitic inductance ,  buck converter ,  power density

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (4)： カス ,  GaN ,  HEMT ,  評価