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J-GLOBAL ID：201402286661847541   Reference number：14A0360820

高耐久NEA-GaAs電子源の開発研究

Author (6)： UCHIDA KAZUHIDE (広大 先端研) ,  KURIKI MASAO (広大 先端研) ,  IIJIMA HOKUTO (広大 先端研) ,  MIYOSHI KENTARO (広大 先端研) ,  KAKU RAI (広大 先端研) ,  YAMAMOTO NORIFUMI (広大 先端研)
Material： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
Volume： 69  Issue： 1 第1分冊  Page： 139  Publication year： Mar. 05, 2014 
JST Material Number： S0671B  ISSN： 1342-8349  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *electron source ,  durability ,  electron affinity ,  *photoelectric cathode ,  spin polarization ,  electron beam ,  gallium arsenide ,  cesium compound ,  telluride (chalcogenide) ,  performance evaluation ,  Cesium telluride ,  emittance (beam)
Semi thesaurus term： emittance ,  GaAs

JST classification (2)： Electron and ion sources  (BD02020U) ,  Experimental techniques for particle and nuclear physics in general  (BE01010F)

Terms in the title (6)： 高耐久 ,  NEA ,  GaAs ,  電子源 ,  開発 ,  研究