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J-GLOBAL ID：201402287470158793   Reference number：14A0804529

Interaction between Sn and Vacancy-rerated Defects in n-type Germanium Single Crystal

n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用

Author (5)： TAKEUCHI WAKANA (名古屋大 大学院工学研究科) ,  TAOKA NORIYUKI (名古屋大 大学院工学研究科) ,  SAKASHITA MITSUO (名古屋大 大学院工学研究科) ,  NAKATSUKA OSAMU (名古屋大 大学院工学研究科) ,  ZAIMA SHIGEAKI (名古屋大 大学院工学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 114  Issue： 58(SDM2014 16-42)  Page： 113-118  Publication year： May. 21, 2014 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *single crystal ,  *germanium ,  tin ,  *lattice defect ,  vacancy ,  dopant ,  complex defect ,  deep level transient spectroscopy ,  void(crystal) ,  ion implantation ,  electron ,  capture ,  interaction
Semi thesaurus term： DLTS method ,  germanium ,  *Ge単結晶 ,  tin ,  trap (solid) ,  vacancy

JST classification (2)： Metallic thin films  (BK14030T) ,  Lattice defects in metals  (BK12030F)

Reference (14)：

• D. W. Jenkins and John D. Dow, Electronic properites of metastable Ge_xSn_1-x, alloys, Phys. Rev. B, Vol. 36, pp. 7994-8000, 1987.
• Regina Ragan and Harry A. Atwater, Mesurement of the direct energy gap of coherently strained Sn_xGe_1-x/Ge(001) heterostructures, Appl. Phys. Lett., Vol. 77, No.21, pp.3418-3420, 2000.
• Xiao Gong et al., Germanium-Tin (GeSn) p-Channel MOSFETs Fabricated on (100) and (111) Surface Orientations With Sub-400 °C Si₂H₆ Passivation, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 34, No. 3, pp. 339-341, 2013.
• Yue Yang, Kain Lu Low, Pengfei Guo, Wang Wei, Genquan Han, and Yee-Chia Yeo, Germanium Tin Tunneling Field-Effect Transistor for Sub-0.4 V Operation, ECS Transactions, Vol. 50, No. 9, pp.979-986, 2012.
• Pairot Moontragoon, Nenad Vukmirovi'c, Zoran Ikoni'c, and Paul Harrison, SnGe Asymmetric Quantum Well Electroabsorption Modulators for Long-Wave Silicon Photonics, IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., Vol.16, No.1, pp.100-105, 2010.

Terms in the title (6)： Ge ,  単結晶 ,  Sn ,  空孔 ,  欠陥 ,  相互作用