Art

J-GLOBAL ID：201402287718547082   Reference number：14A0575643

Size dependence of electrostatic lens effect in vertical MOSFETs

垂直MOSFETにおける静電レンズ効果のサイズ依存性

Author (4)： MURAGUCHI Masakazu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MURAGUCHI Masakazu (JST-CREST, Sendai, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (JST-CREST, Sendai, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 53  Issue： 4S  Page： 04EJ09.1-04EJ09.4  Publication year： Apr. 2014 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： vertical type ,  *MOSFET ,  effect ,  size effect ,  scale ,  channel ,  simulation ,  column ,  source ,  ballistic transport ,  electrostatic lens ,  nano scale ,  lens effect ,  quantum simulation ,  solid (cubic)
Semi thesaurus term： pillar

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (30)：

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• H. van Houten, B. J. van Wees, J. E. Mooij, C. W. J. Beenakker, J. G. Williamson, and C. T. Foxon, Europhys. Lett. 5, 721 (1988).
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• J. Spector, H. L. Stormer, K. W. Baldwin, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Appl. Phys. Lett. 56, 2433 (1990).
• T. K. Gaylord and K. F. Brennan, J. Appl. Phys. 65, 814 (1989).

Terms in the title (4)： 垂直 ,  MOSFET ,  静電レンズ ,  サイズ依存性