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J-GLOBAL ID：201402288995592628   Reference number：14A1031500

Dependence of GaN Removal Rate of Plasma Chemical Vaporization Machining on Mechanically Introduced Damage

機械的誘起損傷に及ぼすプラズマ化学的気化加工法のGaN除去率の依存性

Author (9)： SANO Yasuhisa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  DOI Toshiro K. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KUROKAWA Syuhei (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  AIDA Hideo (Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  OHNISHI Osamu (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  UNEDA Michio (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  SHIOZAWA Kousuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OKADA Yu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMAUCHI Kazuto (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Sensors and Materials  (Sens Mater)
Volume： 26  Issue： 6  Page： 429-434  Publication year： 2014 
JST Material Number： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ultraprecision machining ,  *gallium nitride ,  ratio ,  plasma etching ,  polishing (machining) ,  modification ,  substrate (plate) ,  damage and injury ,  removal ,  dependence ,  mechanically polishing ,  *plasma Chemical Vaporization Machining ,  machining
Semi thesaurus term： *plasma Chemical Vaporization Machining ,  elimination rate ,  flattening

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (7)：

• Y. Mori, K. Yamamura, K. Yamauchi, K. Yoshii, T. Kataoka, K. Endo, K. Inagaki and H. Kakiuchi: Nanotechnology 4 (1993) 225.
• Y. Mori, K. Yamauchi, K. Yamamura and Y. Sano: Rev. Sci. Instrum. 71 (2000) 4627.
• Y. Sano, M. Watanabe, T. Kato, K. Yamamura, H. Mimura and K. Yamauchi: Mater. Sci. Forum 600-603 (2009) 847.
• Y. Nakahama, N. Kanetsuki, T. Funaki, M. Kadono, Y. Sano, K. Yamamura, K. Endo and Y. Mori: Surf. Interface Anal. 40 (2008) 1566.
• C. Youtsey, L. T. Romano, R. J. Molnar and I. Adesida: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 3537.

Terms in the title (6)： 誘起 ,  損傷 ,  プラズマ化学的気化加工法 ,  GaN ,  除去率 ,  依存性