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J-GLOBAL ID：201402291274762159   Reference number：14A0701394

A 1Gb 2GHz Embedded DRAM in 22nm Tri-Gate CMOS Technology

22nm 3ゲートCMOS技術の1Gb 2GHz埋込みDRAM

Author (12)： HAMZAOGLU Fatih (Intel, OR) ,  ARSLAN Umut (Intel, OR) ,  BISNIK Nabhendra (Intel, OR) ,  GHOSH Swaroop (Intel, OR) ,  LAL Manoj B. (Intel, OR) ,  LINDERT Nick (Intel, OR) ,  METERELLIYOZ Mesut (Intel, OR) ,  OSBORNE Randy B. (Intel, OR) ,  PARK Joodong (Intel, OR) ,  TOMISHIMA Shigeki (Intel, OR) ,  WANG Yih (Intel, OR) ,  ZHANG Kevin (Intel, OR)
Material： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (ISSCC)
Volume： 2014  Page： 230-231,231(1)  Publication year： 2014 
JST Material Number： D0753A  ISSN： 0193-6530  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor integrated circuit ,  *DRAM ,  *interposition ,  VLSI ,  bandwidth ,  gate(semiconductor) ,  consumed electric power ,  transistor ,  module ,  arithmetic processor ,  *voltage control ,  complementary metal oxide semiconductor
Semi thesaurus term： VLSI design ,  subarray ,  low power ,  embedded DRAM

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Memory units  (JC04060F)

Terms in the title (3)： ゲート ,  CMOS技術 ,  埋込みDRAM