Art

J-GLOBAL ID：201402294052921886   Reference number：14A0828616

Theory of spin torque switching in a thermally activated region

熱活性領域におけるスピントルク磁化反転の理論

Author (1)： TANIGUCHI TOMOHIRO (産業技術総合研 ナノスピントロニクス研究セ)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 83  Issue： 7  Page： 543-546  Publication year： Jul. 10, 2014 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： Torque ,  *magnetization reversal ,  spintronics ,  tunnel junction ,  heat resistance ,  *magnetoresistive random access memory ,  potential barrier ,  trial ,  process ,  *spin torque ,  *magnetic tunnel junction ,  thermally activated process
Semi thesaurus term： spintronic device ,  heat tolerance ,  free layer

JST classification (1)： Magnetic domain and magnetization process in general  (BM06111M)

Reference (12)：

• 湯浅新治 : 応用物理 82, 196 (2013).
• J. C. Slonczewski: J. Magn. Magn. Mater. 159, L1 (1996).
• L. Berger: Phys. Rev. B 54, 9353 (1996).
• T. Taniguchi, Y. Utsumi, M. Marthaler, D. S. Golubev, and H. Imamura: Phys. Rev. B 87, 054406 (2013).
• T. Taniguchi, Y. Utsumi, and H. Imamura: Phys. Rev. B 88, 214414 (2013).

Terms in the title (4)： 活性領域 ,  スピントルク ,  磁化反転 ,  理論